TRIBUNNEWS.COM – Samsung mengenalkan memori DRAM LPDDR4 kapasitas 6 GB yang diproduksi dengan proses manufaktur 10 nanometer.

Memori tersebut disebut digosipkan bakal dipasang di perangkat Galaxy Note 6.

Memori ponsel berkapasitas besar tersebut dikenalkan di ajang Samsung Mobile Solution Forum di Shenzhen, China pekan lalu.

Dengan menggunakan proses manufaktur 10nm, artinya memori DRAM 6 GB tersebut diharapkan bisa memberikan daya lebih besar sekaligus mengurangi konsumsi energi.

Banyak yang mengait-ngaitkan memori DRAM 6 GB Samsung ini dengan handset Galaxy Note 6 yang rencananya bakal diluncurkan Samsung pada Agustus mendatang.

Rumor lain juga menyebut memori ini bakal terpasang di flagship Galaxy S8.

Galaxy Note 6 sendiri juga dikatakan akan memiliki chipset Snapdragon 823.

Phablet berukuran 5,8 inci itu mengusung layar AMOLED Slim RGB.

Kebanyakan ponsel saat ini baru mampu mengusung memori RAM maksimal 4 GB.

Baru dua ponsel buatan vendor China, yakni Vivo dan LeEco yang telah memiliki ponsel dengan memori RAM 6 GB.

Samsung sendiri sebelumnya telah memiliki portfolio memori RAM 6 GB, namun masih diproduksi dengan fabrikasi 20nm, dan tidak dipakai juga dalam produk-produk Samsung.